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| ◇I◇
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| 【impingement
rate （入射頻度）】 表面の単位面積当たりに単位時間に入射する分子の数。 (量記号:ν,Γ,単位記号:m-2・s-1) TOPに戻る |
| 【impingement
rate （入射速度）】 表面の単位面積当たりに単位時間に入射する物質の量。 TOPに戻る |
| 【inherent
sensitivity （国有感度）】
圧力Pのとき漏れ捜し器の指度のふらつきΔDを圧力変化に換算した値をΔPとすればΔP /Pを漏れ捜し器の国有感度と呼んでいる。 TOPに戻る |
| 【inleakage
rate （漏りの割合）】 特定の排気した容器において,そこに存在するすべての漏れ孔からの漏り量による単位時間当たりの圧力上昇。 TOPに戻る |
| 【inlet
（吸 気 口）】 ポンプの気体吸込み口。 TOPに戻る |
| 【inlet
pressure （吸 入 圧）】 ポンプの吸気口における圧力。 TOPに戻る |
| 【intermediate
flow （中 間 流）】 粘性層流と分子流の中間の条件下にある導管内の気体の流れ。 TOPに戻る |
| 【ion
beam deposition （イオンビーム蒸着法）】
イオンビームスパッタ蒸着(IBSD)法,イオンビーム直接蒸着(IBD)法,イオンビームアシスト蒸着(IBAD)法,クラスターイオンビーム蒸着(ICB)法の4種類がある。IBSD法はイオンビームでターゲット材を衝撃し,スパッタして堆積する方法。IBD法は,イオンビームと反応性ガスを化学反応させて薄膜を得る方法。IBAD法は,真空蒸着中に低エネルギーイオンビームを照射し所望の薄膜特性を向上させる方法。ICB法は,ノズルから蒸発元素を噴射させて,クラスター(500〜1000個の原子が緩く結合した状態)化し,その後イオンクラスター化して薄膜を得る方法で運動エネルギーを制御できる。 TOPに戻る |
| 【ion
beam etching （イオンビームエッチング）】
イオン源から引き出され,加速されたイオンビームのスパッタリング反応により,試料を加工する技術。アルゴン等の不活性ガスを用いたイオンビームエッチングに加えて反応性ガスを用いたRIBE(リアクティブ・イオンビーム・エッチング)も用いられる。 TOPに戻る |
| 【ion
carbaring ion nitriding （イオン浸炭,イオン窒化）】
被処理物を真空雰囲気中で加熱し,浸炭(窒化)温度になると,炭化水素系(窒素あるいはアンモニア)のガスを導入すると共に,被処理物(陰極)と陽極の間に直流高電圧を印加してグロー放電をおこさせ,生じたイオンを被処理物に衝突させて浸炭(窒化)を行う方法。 TOPに戻る |
| 【ionization
gauge coefficient （(電離真空計の)感度係数）】
与えられた気体に対して,電離真空計の定められた動作条件の下でのイオン電流を,イオン化のための電子電流と圧力との積で除したもの。(量記号:K,単位記号:Pa-1) TOPに戻る |
| 【ionization
vacuum gauge （電離真空計）】
電離によって気体中で生成されたイオン電流を測定して圧力を求める真空計。 TOPに戻る |
| 【ionplating
（イオンプレーティング）】 基板を陰極側に置き,グロー放電をおこさせ,蒸発源より蒸発させたメッキ原子をイオン化または励起させてグロー放電で純物質の膜を得る方法と,反応性ガスを導入して,化合物の膜を得る方法がある。 TOPに戻る |
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